［DexiaoGuo等，ACSPhotonics，2018年10月15日线上公布发布）］。华南地区师范学校和北大在（100）硅上产品研发了根据氮化镓（GaN）微丝列阵的紫外线（UV）金属材料－半导体材料－金属材料（MSM）探测器。（文中在ACSPhotonics于2018年10月15日线上公布发布）在该项科学研究中，科学研究工作人员称作这款探测器具有比现阶段报道的大部分GaN纳米技术／微丝或塑料薄膜紫外线探测器更优的特性。该精英团队强调其在光电材料和片上光学系统集成有非常大的运用于发展潜力。
科学研究工作人员根据一种由上而下的技术性来开创水准微丝，该技术性与横着输电线任意放置和不分布均匀直徑或折射率各有不同的光波导入的生长发育方式相比，能够搭建更优的生产制造可重复性。除此之外，该技术性提升了对构造到另一基钢板的简易挤压成型和层移往的务必或别的降低产品成本的简易全过程。运用300nm等离子技术加强有机化学液相堆积（PECVD）二氧化硅层制得2英寸底压（100）硅衬底，该二氧化硅层被变换成3μm花纹；根据三氯化铁溶液湿式转印纸硅表层使其造成具有（111）小平面的梯状地下隧道，使其展现出最不利III族氮化合物生长发育的六方分子排列；随后用盐酸水溶液去除金属氧化物。
微丝列阵根据应用300nmAlN绝缘层缓冲溶液髙压（100mbar）金属材料分析化学液相堆积（MOCVD），随后再作掺加进GaN（图1）制得得到。将输电线与2个间距20μm的镍／金肖特基电级了解。根据莹光试验能够显出其说明出拥有一个锋利且高韧性的接近带上面起飞峰，管理中心为364．5nm（～3．4eV），且未仍未认真观察到意味着残渣和缺少的淡黄色闪动。
图1：（a）图案化硅衬底上的GaN基微丝列阵的平面图。（b）典型性的SEM图象。
（c）GaN微丝的HR－TEM图象。（d）生产制造的井然有序排列的探测器的显微镜图象；比例尺精度100μm。（e）一个探测器的放缩图象；比例尺精度20μm。在2500μW·cm－2325nm氦镉激光器输出功率，5．0V偏压下，电流量为2．71mA；暗电流为1．3μA，敏感度为2．08×10E5％；电流量－光功率依赖感遵照幂指数为0．995；幂指数类似1答复为密度低的圈套态和GaN微丝的结晶品质非常好；号召度推算出来为1．17x10E5A／W，外界量子效率（EQE）为4．47x10E5；仅次特殊观察率是10E16鲍比。
科学研究工作人员宣称，她们所研制开发的紫外线光电探测器与现阶段报道的单一GaN纳米技术／微电子技术和纳米管列阵光电探测器相比具有低紫外光敏感度，低号召度和低EQE的特性。图2：（a）GaN微丝的室内温度微荧光光谱；（b）黑喑（灰黑色曲线图）和325nm紫外线照射（鲜红色曲线图）下的I－V特点；插图，检测光电探测器的电路原理图；（c）与光密度相关的I－V曲线图；（d）电流量随光抗压强度而转变；（e）号召度和EQE涉及到的光波长曲线图；（f）特殊的检验亲率仰仗的功率曲线图。该精英团队仍在蓝色宝石上开创了一个具有3μmGaN层的比照器件。
这种器件应用镍／金接触点。电级光刻技术用以与硅上的微丝器件完全一致的光掩膜。敏感度，号召度和EQE各自为2．77x10E4％，0．21A／W和0．80。
文中译成自semiconductor－today，若有不正确要求不吝赐教，感谢！。
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